如果LDMOS栅极不能耐高压，输出级改如何设计？
录入：edatop.com 阅读：
想用BCD工艺设计一个输出级，输出电平12V，最大输出电流为0.5A，但是发现这个ＢＣＤ工艺没有栅极能耐高压的ＬＤＭＯＳ，栅极最大就５Ｖ。我原来用的电路不能用了，应该怎么设计啊?不知道哪位大神能给予指点啊?附：我原来用的输出级。
BCD
耐压多少?
栅极５Ｖ，漏极４０Ｖ
引入level shifter呢?
use nmos + resistor 做 level shift , and
pmos g-s 間使用 zener protect
level shift
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
上一篇：用宏模型进行仿真的时候，Gm等效
下一篇：关于tsmc018 pex提取时，D（dnwpsub）二极管抽取不出来
