电路的耐压问题

如图，VDD为芯片电源，OUT为输出电压。当电源电压在12V~20V的时候，OUT的输出和设计值一样，大约是5.4V的样子；当继续升高电压的时候，OUT的电压会缓慢上升，到23V的时候，OUT脚输出电压会到7V。
做probe验证，npn基准的电压没有随着VDD发生变化，那OUT脚的电压为什么会发生变化呢?

随着VDD发生变化

   在12V~20V的时候，输出电压值是恒定不变的；超过21V的时候，电压就会缓慢上升。

VR是个什么diode?

   VR是个基准电压，5V的基准产生的啊

会不会可能是当VDD大于21V后, BJT开始发生雪崩击穿, 使得Ic电流增大, 从而使输出电压上升.

应该M=30那个 BJT 的ie电流变大了，是什么原因?需要查fab文件和layout了。

查一下npn的BVCEO是多少，VDD增大后应该是接近这个值了吧

   你的意思是，CB极的NP结已经被雪崩击穿了?所以才导致IC上升，电压上升么?

fab厂给出的单个NPN的测试结果如上图所示（纵坐标Vc，横坐标Ic）：
Ve=0，调整Ib=0uA-->5uA，扫描VC的电压值，观察Ic什么时候出现跳变。
从结果来看，Ic出现跳变的时候应该是接近30V了，这个该如何解释呢?

从你的现象看是BVce应该在16V左右，这和fab给出的曲线不符。
再次确认一下，两边的npn是不是相同的。
顺便问一下用的是哪家的工艺，如果方便的话。

       恩，这个是上华的1um40v工艺，npn三极管的耐压我们自己调整过工艺的，这个数据应该没有问题，就是在wafer上面测试出来的。唯一的区别就是测试的时候Ve是接0的，电路里面不是的。

    和我的测试结果一样，我也用了这个工艺。
     和npn中流过的电流(Ic)有关，如果降低ic，耐压就上去了。
     你们调过参数，但应该大同小异。

在Vout处挂一个电阻作为负载，看看Vout是否随着负载阻值变小而回复正常?

耐压和晶体管有没有流过电流有很大关系的。
MOS是这样，BJT估计也一样。

   关键是我现在输出上面没有负载，只接了一个10nF的电容倒地，应该没有多大电流的说。

   挂了负载，输出电压会下降一些，但是电压上升到一定程度后，还是会继续往上升的。

ENB 是接的哪 多少V 随不随VDD变化

感觉是M=1的BJT的Ib有随VDD变大

提供一个思路，你测试时监控VCC的电流，当VOUT出现异常时IVCC是否也增加?此时很有可能是寄生pwell/BN/Psub  的PNP通了。

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