请教：关于cadence中smic库mos管参数设定的问题

你看看SMIC库中的reference文件，里面有介绍。Threshold貌似选中apply之后，就以这个位栅宽将mos管做插指，S/D metal width是源，漏端连接的金属线宽。这个等你在画layout的时候，将cell的版图调出来一看就明白了

我比对了一下各个期间的默认参数，好像那个S/D Metal Width是不变的（在我用的库里面都等于230nM），Threshold=finger width=width，我设参数的时候基本也是根据这个设定的，比如w=48um，我把Threshold也设成48um，然后S/D Metal Width没有修改，不知道可不可以?

默认参数是不变的啊，但是这个参数是可以自己修改的。当管子源漏电流较大时，在画版图时就要加大S/D的 metal width 来满足电流密度规则要求。Threshold的默认值如果不选中application的话，是不起作用的。主要是设置finger数。
不修改S/D metal width，在电路仿真时是可以的，但实际片子中，如果S/D metal width小得话，可能会由于电流较大，而影响性能。

还有个问题请教一下，就是finger数应该怎么设置啊?依据什么计算这个数值呢?

这个，我觉得是如果画cell的话，先定义好单元的结构，最主要的是电源和地之间的距离，然后管子画在此中间。如果管子的高度大于这个距离，就用插指。这样还有一个好处是，降低管子源或漏区的电容，多晶硅栅上的阻抗也降低。具体的finger数，视情况而定了，比如你有个cell栅宽为2u,finger=1,那么你就可以对另一个栅宽为4u的采用finger=2，这样画出来的版图高度就一致了。

收益匪浅啊！膜拜各位大神

pdk中的reference 咋看啊，我的smic018 pdk中没有看到“reference”，“readme”等文件。

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