bandgap电阻比例和BJT比例问题

各位N人，小弟前不久开始做带隙基准，疑问多多，还望各位指点迷津，分享一下流片经验！
已知：上图是我所做电路的简化图，运放直接用理想vcvs（gain=10000）代替，假设R2/R1=m，Q2/Q1=n;先不考虑失调，那么：VREF=|VBE2|+VTln(mn)(1+R2/R3)，然后，我人为的使m=10，n=14，再通过仿真微调R3的值，温度范围在-40~125℃时，温漂系数我暂时调到了10.14ppm/℃，P管流过的PTAT电流为14uA。

问题：后来我先定PTAT电流为10uA，分别比较了（m值不变）和（m值改变）的ppm大小，发现会些较明显差异。

那么R2/R1的比例以及阻值是多少为好，有哪些依据?而且Q1和Q2应该是多少比例为好，原因又是什么?

好问题，我先留个名。

通常如果不考虑失调，R1=R2；Q1/Q2=1:8,这个是基于版图设计对称性角度来考虑的

   n越大， R2/R3的比例就会越小， 运放的offset等效到Vbg输出的offset也越小。n通常有 8， 14， 24等等

M不能去太大的，Opamp Offset电压到输出的比例随M增加而增加。

個人認為R1,R2一般來說設計會是一樣的, 阻值的決定會取決於本bandgap的流耗spec.
當然左右兩路電流也是可以不一樣, 不過左右兩路電流不一樣的時候, BJT特性不一定完全會一致.

   那R1的阻值该如何定呢?假设m固定了

还有，VREF=VBE+(1+R2/R3)[VT×ln(m*n)-VOS]，跟m没太大关系吧，m大了，R2大，为了保证零温漂，R3增大就是了

依您的经验来看，1:8好，还是1:14好，亦或其他比例。

根据拉扎维书上讲的，R1，R2设成比例关系，对失调影响有帮助，但对BJT特性有何影响，望指点指点！

    这要看你怎么做了，这里推到近似的。m比较大时电阻的offset影响明显增大的。R的取值主要影响功耗和面积。

一般Q区面积较大的那种BJT，Q1 2的比例按照1:8或者其他最后摆成正方形的比例取值。然后看看VBE的温度系数，对应电阻的比例m值可以通过计算算出来。然后就是想想怎么设置电阻的连接方式达到一个小数的值，比如m=10.5

    我个人基本都用1:8，主要基于版图设计（layout）的对称性角度来考虑的，方便摆成一个正方形，1:14感觉也是可以的，主要看你版图设计的要求（如下图）。

一般是把这个比例定下来然后对电阻的值进行粗略的计算，然后再调schematic里面电路transistor的尺寸

问一下，支路电流如何确定呢?通常我都是设10uA，功耗小时也设过5uA。

恩恩，谢谢您分享的一些经验。现在主要问题是怎么仿真更有效?比如R1，R2，R3都是10/2的尺寸，P管电流10u，那么为了使温漂达到最小，怎么进行扫描仿真呢?

  我被要求设为10u，现在正在想仿真方案，BJT定为1:8，电阻的话不知道是先定R3还是R1

   BJT也有很多种，选用面积大的那一种。流过MOS的电流镜设置在2uA差不多了就。I*R+VBE=1.2V，自己算吧。
BANDGAP主要耗电都是在运放上面的

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