MOS管栅源电压一样，为啥电流不一样？ [

    还有Vds的影响。你没有考虑沟道调制的影响。

那要怎么做?新手+自学，野路子啊，郁闷
请指教，谢谢了

Vds Vth都有可能不同。请查看仿真文件。

“Vds Vth都有可能不同。请查看仿真文件。”
看过了，是不一样，Vth差点，VDS差的多
那要实现一个电流镜，必须要考虑哪些，一般的说要怎么做?
书上好像只给了电路图，原理说明下，没说很仔细啊

   请认真阅读《拉扎维》的第二章，或搜索‘沟道长度调制效应’

    先看看是不是都饱和，看书吧

要让所有的管子都工作，才能让电流镜成功镜像电流

根据1阶模型，在饱和情况下，I=k'(W/L)*(Vgs-Vth)^2.微小的Vth变化，都可能造成I的不同。   
根据2阶模型，沟道长度调制效应（即Vds对Ids的影响）可以近似为 I'=I(λ*Vds+1)。其中λ和管子的L相关。如果L相同，Vds不同，那么I也会不同。如果L不同，在Vds相同的情况下，I也会不同。
另外在Spice模型里Vth不是一个定值，受W，L，衬底偏置等各方面的影响。
好好看书，这些书上都有。

    另外，不要指望电流镜可以100%成比例镜像电流。电流镜说白了就是用一个二极管接法的mos做负载，取出这个mos在特定电流且Vds=Vgs时的Vgs值。再加到需要镜像电流的mos管上。但是Vds并没有被复制。只有在一阶模型里是可以成比例的。但在实际设计中一阶模型一点用都没有，只是帮助你更好的理解mos管工作原理的一个工具。

谢谢楼上所有朋友，看见和VDS还有关系，和landa系数也有关系

其实简单模型里，应该是一回事，VDS通过lambda系数去影响电流。

根据1阶模型，在饱和情况下，I=k'(W/L)*(Vgs-Vth)^2.微小的Vth变化，都可能造成I的不同。   
根据2阶模型，沟道长度调制效应（即Vds对Ids的影响）可以近似为 I'=I(λ*Vds+1)。其中λ和管子的L相关。如果L相同，Vds不同，那么I也会不同。如果L不同，在Vds相同的情况下，I也会不同。
另外在Spice模型里Vth不是一个定值，受W，L，衬底偏置等各方面的影响。

    电压裕度够的话，级联结构会好一些。还有，你需要的精度要考虑好。

受教

5楼正解，主要是Vds不同

学习了

看你对匹配要求多高?用途在哪里?如果只是镜像给远放，比较器的，VDS不同有点影响无关，但是如果是用于采样电路，那就要求保证VGS, VDS都要一样，加高精度的运放。总之，模拟设计是TRADE-OFF

请问，构成电流镜的管子必须工作的饱和区吗?

    必须。不然镜像条件不成立。

   拉扎维的书上说，工作在饱和区且具有相同的栅源电压的相同晶体管传输相同的电流，这个饱和区是前提条件吗?如果它们的栅源电压相等，其他条件也相同，只是工作区域不在饱和区，它们还是具有相同的电流与电压的函数关系吧，从数学上看，也是具有确定的比例关系呀，这样不能构成电流镜吗?

    电流镜中其中一个管子是二极管接法，你怎么让它进入线性区?

   不是进入线性区哦，可以是亚阈值区呀。

    亚阈值是广义上的饱和区。可以有镜像作用。但是管子的gm会太大，匹配会不好偏差很大，而且vds的微小变化会引起较大变化。如在运放中，电流镜的工作在线性区或者亚阈值区，整个运放的增益会很差。

   嗦嘎，受教了

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