面试中被问到的一个问题

面试官说这个电路中所有管子都可以工作在饱和区，然后问这个电路有没有问题?
本渣见识太少，当时也不知道从何入手，面试官又提示说从自偏置电路可能存在简并点的角度考虑一下，但我觉得好像右边有个0电流简并点就没有其他了吧?
左边的低压cascode是什么意思?需要考虑吗?

屌炸天的Ibias
你确定M1，M6，M7画对了?

    见笑了  我重新改了一下图

      改了

cascode的偏置有问题，也就是简并点啦。
右边的0电流简并点也没什么不对，延伸一下，把cascode也带进去。

拉扎维书中有讲，与电源无关的偏置章节。面试官根据应用稍微改了点形式。其实这种结构没有启动问题，拉扎维认为有问题，大家都跟着认为有问题。

    电路中没有画出EN（PD）的管子，若该结构EN=0时，M5和M7的gate分别为VDD，VSS（即都关掉），之后EN变成1，若不加启动电路，M5和M7gate 怎么开启?

   漏电可以开启。如果要快速开启，可以加启动电路。

   我是想说不启动的兼并点是不稳定点。

    那仿真就能验证了，但没见到开启过。都需要启动电路

    不稳定的兼并点，不是还有可能启不来么，加了启动电路肯定不会有问题，但不加不好说，

   如果M7的栅压保持0，那么M3就关的死死的，
   M2把M1 的电流镜像过来会对M4的栅电容进行充电，直到把M4的删拉到VDD才罢休，M4栅压很高了，它是想工作的，无奈只能工作在线性区。
   这个时候M3就很关键，它的漏端电压为VDD，栅端电压为0，它如果很淡定，那电路就不工作了，它要是漏端和栅端之间有漏电（小尺寸工艺），就会给M3的栅电容充电，然后把栅压抬上去，电路就工作了。

    仿真不一定准，我们分析过。或者device一点漏电都没有。我们也还是加的，只是要搞清楚为什么加。

    我仿真的都是能开启的哎

  只要有不启动的可能性，还是要加启动电路。

    那你是加不加启动电路呢?就给你这个原理图，没说工艺。

    那你仿真漏电有多大?

    小工艺下M5 的ds漏电应该比M3的dg漏电大很多吧，起来也是M5漏电启动的。

    nA级别

    M3的dg漏电和M5的ds漏电那个大?

    你那个是16nm工艺?

把M8 short掉，就没有启动问题了

说的有理，小尺寸工艺指的是多小的工艺?

回复 12# kdyldw

起来需要多长时间呢?

回复 19# lwjee

这个必须同意

    短掉电路不就被改了吗  不清楚这个电路是干什么的  当时这是最后一个问题了  时间比较急  我也忘记问面试官这种电路作用是什么

    实际电路中这是用来干什么的?

M6 M7需要启动电路

    28nm,IO 管

    电流镜，或者与电源无关的偏置

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。