55nm moscap ESD 问题求助
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1.2V 55nm nmos 做VDD/GND之间的decouple cap会有ESD的问题吗?尤其是CDM?VDD/GND pad已做常规ESD保护。
不会有问题，只要ESD通路不导向内部电路就没问题。
通常ESD通路是从VDD引向GND的(通过power clamp)，如果耦合电容对ESD的响应时间比VDD/GND clamp慢，ESD会通过clamp引向ESD，反之ESD会通过耦合电容引向GND。
按照rule是不允许gate直接接在电源/地之间的，但实际问题不大，用pmos做decap更safe些。此外gate leakage会比较明显。
一般地，内部Gate接到pad需要二级ESD保护，尤其是在考虑CDM时。 内部mos的gate和接在VDD/GND之间的decouple电容的Gate在CDM测试时所经受的CDM打击有什么不一样吗?
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