面试问题：分段电容DAC单位电容怎么取？寄生电容怎么考虑？

最近面试SAR ADC总是被问到DAC 单位电容的取法和寄生电容是怎么考虑的这几个问题。
（1）单位电容主要考虑的应该是失配，以前帖子也有，3*sqrt(2^N-1)*sigma(Cu)<0.5LSB
      这个式子应该是不分段结构才能用吧?分段结构怎么推导呢?
（2）寄生电容每次我都说清华李福乐老师那个PPT上的这一段。不知道还有什么能补充的吗?我也不知道面试官想听啥
  LSB段的寄生Cp2带来权重误差，导致非线性
– LSB段所用电容、Ca，采用上极板共接
– 权重误差比例固定为β，因此降低LSB端位数L，可降低非线性
• MSB段的寄生Cp1不会带来非线性问题和ADC增益误差，但作为DAC时，会带来约Cp1/CMt的增益误差
– MSB段所有电容，采用上极板共接，此为底板采样需要
• Ca的上下极板间寄生Cp3直接影响权重，导致非线性
– 版图布线要特别注意最小化Cp3
这方面基础确实欠缺，时间紧迫还请各位大神不吝赐教帮帮忙，谢谢！

还有就是动态比较器的失调仿真，我用的蒙特卡罗仿真了1000次，结果太大了，9mV...正常的输入失调电压要控制在什么范围内呢?
看来十一放假都出去玩了，希望明天有好心人解释一下

第一个问题   eetop上好像有个帖子讨论过   有答案啊 你可有搜索一下
第二个问题  我也在困惑，，等待牛人指教

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