可以提供深N阱的工艺是不是应该尽量让NMOS的body和source接一起？
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据我所知现在0.18以下的工艺一般都提供深N阱，我现在在用TSMC0.18的工艺，可以用DNWELL，有时候NMOS由于source电位比较高导致VTH甚至可以上升到0阶时的1.5倍以上，这比较耗费电压，我在想既然工艺可以提供DNWELL那么我就把共源共栅NMOS放在DNWELL中吧?这样调电路变得方便很多，而且节省电压裕度，不知道DNWELL除了由于加深阱接触环会加大面积外，有没有其他坏处?用过这种工艺或者更高级工艺的大神们能不能出来指点一下?你们在做项目的时候都用DNWELL吗?
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