请大家帮忙看看这道题目

这个题目第一次见是VeriSilicon的笔试题，当时和同学讨论了一下，大家认为是M5处于线性区边缘，电流变化，因此输出振荡。之后又陆续出现在展讯等一些公司的笔试中，而池保勇老师的ppt中也见到了。简单地写了一下SPICE进行仿真，没有出现题目的现象，输入信号的频率范围变化仅引起增益的变化。
希望大家讨论一下，帮助我把这个问题弄清楚，谢谢。

为了方便大家，这里给出我利用一级模型算出来的直流偏置情况。因为没有考虑二级效应，可能有点儿偏差，但基本符合我SPICE仿真的结果。

M10 电阻在电压高的时候太大了，PM或者GM不够，就震了

   首先肯定是PM不够了  简单计算，1st stage的尾电流管的过驱动电压为0.8V,因此差分管的源级电压为1.7V.当Vout 达到正的Vpp时，Vgs1-Vth已经小于0，即M1管进入了亚阈值区甚至关断，驱动能力大大下降，因此第一级的输入管gm下降，因此GBW下降，而此时零点并未改变其位置。故存在的可能性即为fzero远离了GBW处。此fo为负零点，会优化相位，因此远离GBW会使得优化能力减弱，因此PM降低，产生一定的damp和震荡、
  解决方法，拉低fzero,此时的fzero为1/(2*piCc(1/gm6-R10)) R10为M10的线性区电阻，注意此时1/gm6<R10，因此增大R10或者增大gm6均可以优化PM。
   虽然增大Cc可以降低fzero,但同时也会降低GBW,因此增大Cc的方式并不可取。
  个人认为另外的方法是调整第一级的偏置，使得输入摆幅增大。
之前没有注意是双电源，那么第一级的过驱动电压为0.8V。 其他都是一样的。  道理是相同的。

   过驱动电压是怎么估算的呢?

   偏置电路给了呀，而且有Kp Kn。有W/L  手算一下就有了

把M10和Cc的位置对调

是我算错了。

   对调又有什么用呢?

   可以算得出来，您可以看看我的更新。根据我的理解，M8应该只是为了M9提供偏置电压，可以看作一个大电阻。他们都是二极管接法，肯定是饱和区的。

   谢谢，的确是，刚才没注意下面的偏置电路。

   你写的fnd是极点的意思?   你应该是要说零点吧。看你的公式写的也是零点。

    自己想出来的才叫收获～楼上的大家一起努力吧。这是个简单的问题。

自己太笨，想不出来，求大神不吝指点。先谢过！

   是零点，手抖写成fnd了

很老的题目了，没记错的话 某本巨作的课后习题

Razavi?

发表一下个人的看法啊，我觉得6楼是对的，三楼的我存在这些疑问。对于这个系统，电路存在两个极点，一个零点。主极点在M2,M4和Cc形成的主极点，次极点是由M7,M6和负载电容形成。还有一个有M10,Cc和M6形成的负极点。当M5不饱和时，会引起M2,M3的gm的较小，也就是会引起带带宽和主极点的减小，但是此时，负零点和次极点的位置不会发生改变，也就是说PM此时会变好，而不会变差，应该不会引起震荡。

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