Bootstrap动态性能问题

各位先进好
我在实作10bits SAR ADC使用90nm，
我的性能一直上不去，所以我来测试一下Bootstrap性能
取样率100Mhz 输入频率 1Mhz下 ENOB=13.057  SFDR=83.33dB
但是换成 输入频率 10Mhz下 ENOB=10.45  SFDR=69.82dB
我之后是要做到400Mhz的取样率，但是连100Mhz都做的不是很好...
这样的Bootstrap是不是会导致我的全电路性能不好?
那应该如何改进?
谢谢各位的帮忙了
我Bootstrap 测试使用1024点的FFT
Bootstrap如下图

没人可以回答嘛?
我是参考 2014 IEEE "A high performance Bootstrap Switch for low Voltage Switched-Capacitor Circuits"
自己顶

你的 10bit sar可以达到400M的采样率?是不是有点屌

在IEEE已经有SAR可以做到1G了，所以老板希望速度要好，但现在100M就很难做了...

    你确信他们是单通道1GHz  10b SAR?

标题

    我看到的都是6bit 做到1g的，或者10bit时间交织

把你的时域仿真特性拿出来看看  你是测试单路的性能吗?换成差分的试试  像电荷注入 时钟馈通这样的共模误差都可以通过差分结构消除大部分

你的开关管做的多大?现在的现象是随着输入信号的上升采样结果THD下降，貌似同你的这个开关管本身阻抗的非线性相关。

谢谢大大们的回应
我之后也是打算作双通道的sar adc
另外下图示我的时域仿真特性图，100M取样率，10M输入 ，希望能请大大发现问题。

xuriver2012大，我的开关W/L = 1u/100n m＝12，这样会太大嘛?
再次谢谢各位

继续顶，问题还没解决阿，谢谢各位了

支持你，学习看看

学习看看

   感觉你这个做不到这么快的速度啊，10bit做到200M差不多顶天了， IEEE上应该是多通道的吧~

我觉得是你3次和5次谐波太大了，你试试把传输门尺寸调小一点，还有最好做差分电路，总体来说你这个是输入频率增加导致非线性，一般这个都是接近奈奎斯特频率才更明显啊。

    你是怎么看出3次和5次谐波很大的?求指教！

谢谢zengyl的建议，我会试试看先打传输门尺寸调小一点，有问题在请教您，
在弱弱的问一下，请问全差分的bootstrap该如何下手?
谢谢了

我看SFDR啊，采样速率提高了，SFDR就下降了这么多。说得不对请指教

有效果了没啊，全差分不是做两个完全对称的就行了?

谢谢各位的建议，但還是作不太出，我在100M的取樣，10M的输入频率下还是答不到ENOB 12，还是只有10左右......快崩溃了阿

    小编贴的是时域仿真波形  我没看到SFDR在哪啊

看帖子不细心啊。第一楼就贴了

各位先进好：
过了两个星期了，我的电路能就失败....原本想说这个电路最重要的就是那个开关，所以单独的测试一下，
如下图，在输入频率10M下ENOB还是很烂阿.....ENOB=10.715
Gate接时脉为2V以保证导通，输出负载为单位电容7f M=602
输入为0.6V 振幅为0.25的sin

有点混乱，LZ不是在做bootstrap， 怎么又拿个NMOS在simulate? 另外， clock 是2V?　NMOS的body接到输入端? channel length =100nm 而不是min channel length?

    小编不是搞bootstrap吗  怎么又开始测单管开关了?  另外，开关管不能把body直接接到source上，这种消除body effect的方法看起来美好，实际上在TH中输出端保持的电压某时刻重新采样后可能会比source低，也就是比body电位低，这会导致drain端的PN结正偏，你的电路就完蛋了

我是想继续测试Bootstrap，想不到方法试了，所以把Bootstrap的开关mos单独测试...，但还是没什么结果...崩溃阿......

bootstrap开关电路，调试的时候主要看你开关在有信号的情况下vgs的保持的多少，是否接近电源电压，
波动有多少，另附开关的source一定要接地，
实际上单个开关应该二阶会大，因为有衬偏效应，这时可以把开关尺寸做大点
另一个做法是仿出开关的阻值大小，算RC频率，看是否比采样频率高4-5倍

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。