飞思卡尔推出LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔宣布推出两款面向TD-SCDMA 基站放大器的LDMOS射频功率晶体管MRF8P20160HSR3和MRF8P20100HSR3。采用了高压第八代（HV8）LDMOS技术，每个单独器件均能工作在TD-SCDMA的1880-1920 MHz 及 2010-2025 MHz两个频带。现已投产。

MRF8P20160HSR3的平均射频输出功率为37W（P3dB 压缩下的连续波功率为160W）；能量转换效率为45.8 %；增益16.5 dB ；在输入信号峰均比为9.9dB的状态下测量，ACPR为-30.6dB（+/-5MHz偏移下的通道带宽为3.84MHz）。

MRF8P20100HSR3的平均射频输出功率为20W（P3dB 压缩下的连续波 (CW) 功率为126W）；能量转换效率为44.3 % ；增益16dB；在输入信号峰均比为9.9dB的状态下测量，相邻信道功率比(ACPR)为-33.5dB（+/-5MHz偏移下的通道带宽3.84MHz）。