为什么用深线性区的MOSFET代替电阻
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在集成电路中，因为很难做高质量的电阻，一般都会用深线性区的MOSFET来代替。
因为深线性区的电阻R=1/[uCox*w/l*(Vgs-Vth)],考虑到晶体管VTH,u,w和l的离散，深线性区的MOSFET电阻值的离散应该也挺大的。那为什么还要用用深线性区的MOSFET来代替电阻?
因为深线性区的电阻R=1/[uCox*w/l*(Vgs-Vth)],考虑到晶体管VTH,u,w和l的离散，深线性区的MOSFET电阻值的离散应该也挺大的。那为什么还要用用深线性区的MOSFET来代替电阻?
因为省面积··
除了这个，MOSFET电阻还有其他优点吗?
主要是节省面积。在阻值精度不高下能用，控制gate电压阻值可变，比如LDO补偿时，可以让电阻变化零点变化啊！总体用的不多
阻抗大，节省面积
既然用这种电阻，想要省面积，就必须容忍它的不准确性和离散型，不能对系统造成太大影响，有些情况随着外部电压变化这个阻值的改变趋势有利用系统的补偿~
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