关于电流镜失配问题

假设一对电流镜(1：1)，电流10uA，宽长分别比50um/1um，finger=2和10um/1um，finger=10两种情况。失配哪一个大?或者一样?至少书上说，两个面积一样，失配一样，真是这样?仿真出来感觉前者好的多啊！为什么?

在28nm，10um/1um，finger=10这个会好，有些说法只是在特定的工艺下。

很难说。考虑AS的话情况差别太大，根据仿真加以判断吧。

    书上的东西大都不靠谱

    只能看仿真的结果了，我记得书上说pmos输入差分对源极个体短接后失配会变好，可仿真出来刚好相反！

    书上会这么说么?
    举个例子，如果你被镜像的管子是10/1,那么镜像管用10/1*10效果比50/1*2好。

還是看實際結果最準

   对于不开WPE，PSE等效应的前仿来说，finger越多，Weff的影响越大

看你什么工艺什么model, sigma vt也不仅仅是inversely proportional to square root of area.

    有道理。

    也就是说finger越多有效面积越小，失配越大?

    感觉书上很多东西过时了，不准确了，还得看仿真结果吖

我记得那个是说消除PMOS输入对管的体效应，避免体效应系数的失配增大失调，理论上是这么分析的

    仿出来刚好相反，呸！理论！

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