请教各位做dcdc的，关于功率管隔离的问题
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小弟最近接手一个boost dcdc到版图阶段了。用的csmc 0.5 bcd st3600工艺。最开始设计的时候功率管用的是35v 带bn的hv mos，要求能过1.8
A的峰值电流。版图画出来后仿由于带bn的管子提不出来模型出来，后来换成普通的35v管子。然后外面围一圈bn和P做隔离，但hvpwell下面那层
bn就没了。芯片的gnd和pgnd在片内由帮定线在封装管脚处接一起，gnd等效为有250mr，pgnd100mr.现在问题一是要做隔离我个人认为要用带
bn的管子并在外围围个反偏pn环才能做完全隔离，要不然直观的讲不带下面那层bn的只能隔离部分横向电流。第一次流片没经验，首先没法确定功率管需不需要隔离。如果需要隔离，那高压n管得hvpwell下面是不是一定要bn层? 只在外围围1层hvnwell和一层hvpwell效果如何?
A的峰值电流。版图画出来后仿由于带bn的管子提不出来模型出来，后来换成普通的35v管子。然后外面围一圈bn和P做隔离，但hvpwell下面那层
bn就没了。芯片的gnd和pgnd在片内由帮定线在封装管脚处接一起，gnd等效为有250mr，pgnd100mr.现在问题一是要做隔离我个人认为要用带
bn的管子并在外围围个反偏pn环才能做完全隔离，要不然直观的讲不带下面那层bn的只能隔离部分横向电流。第一次流片没经验，首先没法确定功率管需不需要隔离。如果需要隔离，那高压n管得hvpwell下面是不是一定要bn层? 只在外围围1层hvnwell和一层hvpwell效果如何?
boost 不像buck存在sub-injection问题。 为什么需要隔离呢?
boost也存在热载流子效应的。而且pgnd和gnd的电位不同，pgnd电位的峰值高于gnd，在开关的一段时间pgnd到gnd是个等效的带正电的p型半导体。应该要注hvpwell到psub的漏电流问题。可工艺文档也没这方面相关的说明。
小编，求BCD工艺库，谢谢。
谢谢分享
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