请教各位：为什么带隙用三极管不用二极管啊？

有的                 。

大概是三极管的集级可以连在一起,减小失配

有点意思
三管能隙的第三个管不能是二极管吧?！如果另两个用二极管做，第三个管的BE结与二极管上的压降怎么算，因为第三个管的基极与阳极连在一起
还有一点，就是一般的能隙电路，基极连在一起，保证VBE1＋I＊R＝VBE2，这个一般是用来设置电流的。如果用二极管，不能保证他们的阳极电位是一样的。
个人猜测，仅供参考。

应该是工艺自身的原因，diode在标准的cmos工艺中制造不是很方便，控制比较困难，而vpnp是标准工艺中的寄生器件，性能稳定。而且大多数工艺中，PNP比二极管有更好的温度特性，有更低的噪声

支持楼上的兄弟。

恩，应该是工艺问题。

其实n-well工艺中二极管也就是一个三极管，你可以画个版图试试，因为p-sub时钟接地，所以你的pn结的p端只能做在n-well里

看版图的话其实就是一个pn结吧

查了下书，在扎维535页里面提到在标准CMOS工艺里，正偏的PN结是个PNP管（衬底接地），会有电流流向衬底，结构实际和VPNP是一样的。不知道厂家建PN结的模型的时候是怎么考虑的。

学习了

标准cmos工艺中只有pplus/nwell和nwell/psub两种diode。
这两种二极管一般用在ESD保护等反向偏置的条件下。
对于ppuls/nwell diode，如果正向导通，就存在到psub漏电的问题，所以bandgap中就用这种substrator pnp。 而 nwell/psub 的p段始终接地

顶贴，有没有大神来说的更详细一点

For diode, PTAT voltage difference from two different density diodes is sensitive to process spread.
For diode: Idiode=Is(exp(Vbe/n/(kt/q))-1) where n is non-ideal factor. n changes between 1 and 2 under different forward voltage Vbe.
For Bipolar: non-ideal factor n is very close to 1.
NEVER use diode in the voltage reference circuit if output accuracy requirement is high.

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