Sansen模拟集成电路设计精粹中用的工艺是什么工艺
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如图所示：第1章：0139
这里的的IDsat，用的IDsat的值为0.2uA，当ID=0.1uA时，VGS的值为VT。
这里用的是哪一代的工艺呢?看书不认真，没看到哪里写有缺省工艺。
还有，后面的 VGS-VT=80mV，是弱反型到强反型的真正的转变点，ID=2 IDsat。这是不是跟工艺相差呢?
这个转变点有没有用呢?如果有用，那为啥一般都要求 VGS-VT要至少大于150mV
这里的的IDsat，用的IDsat的值为0.2uA，当ID=0.1uA时，VGS的值为VT。
这里用的是哪一代的工艺呢?看书不认真，没看到哪里写有缺省工艺。
还有，后面的 VGS-VT=80mV，是弱反型到强反型的真正的转变点，ID=2 IDsat。这是不是跟工艺相差呢?
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