请教LDO流片之后的两个问题

仿真都没有问题，现在流片之后有两个问题
1.load regulation比较差，随着load加大输出减小，0-1A掉了40mV@1Vout。并且在不同的Vin下掉的不一样，输入越高会有所改善，但是趋势没有变
2.line regulation在5V-6Vin下会突然变差，在2V-5Vin下几乎没有变化
希望做过LDO的大婶指导下小弟，要不没法过年了

呵呵，没法过年这说法太过分了，不至于。
1. 芯片有一个回路，一个输出级。输出的功率管那条线脚Power Line；反馈回内部EA的那条线脚Sense Line。这两条线虽然在电学原理上是同一根线，但是在Physics上，它们算两根线。Layout的时候，你需要做两个Bonding PADs，分别连到这两根线上。
2. 查查你的Vref，我估计是5~6V的时候你的Vref变了。更General点说，你的所有用Cascode架构的第二层的管子有可能有Drain-to-Sub的漏电。这个东西叫Impact Ionization。做这种工作电压高的电路，需要避免电流竞争，多用analog invertor的结构。
如果你还不理解就贴图吧，放心都是小Bug，不过没准需要Full Mask Change，不知会不会让你老板抓狂呵呵。

simulation结果是多少?
detail的performance问题，不贴电路没法看。
1只能看看你simulation的时候有没有加bonding的寄生电阻，如果只bond一根线，又比较长，30mo的电阻不是没可能，这样1A就30多mV没有了。大电流低输出电压，一般都会force sense的打线
第2个问题，如果simulation没有问题，建议看看pcm或者spice model的fitting  曲线，看看是不是mos
在5v以上会有明显的上翘，如果是，关键的需要gain的地方，检查device的L，最好用cascode。另外，测试的负载是多少，如果负载重，也要考虑电压高，压差大，芯片内部温度过高

楼上2位有很深的造诣呀。

   谢谢。有FB的pad。所以sense应该是没有问题的。另外您提到的可能原因我再看下，电路拷贝不了，所以抱歉了。

   simulation没有问题，corner下也没有问题，谢谢您的建议，我再仔细查看下，我个人猜测可能layout方面有些问题，电路我拷贝不出来，因为公司内部的资料传不出来。非常感谢您的回复。新年快乐。

关于2，是用什么工艺实现的，如果是5V工艺，就是设计出了问题，如果是3.3V工艺，那么应该说不是什么大问题。要耐压只能采用Cascode结构

高手呀  楼上的  佩服

顶二楼三楼

设计时取样反馈要考虑寄生电阻的影响

如果测量的是没流过大电流的FB，那如楼上所说有可能是bandgap的问题，若bandgap有bypass引脚，可以先验证它的性能

学习了！

仅提供一点建议：对于第一个问题我觉得可以从Rdson、测试方式、版图的布局、基准的温度特性、以及失调等方面考虑，可以首先测试下你的Rdson多大?测试方式是否正确，尤其是输出端的连接方式是否正确?第三点版图的布局布线包括打线电阻，几根线是金线还是铜线?算一下实际的打线等效电阻是否跟仿真一致，功率管上的孔是否够多等，这都会也可能影响Rdson，不知道你的基准温度特性以及封装的散热特性如何?大电流下是否过热影响基准电压的漂移，失调这个可以从增益及匹配性上考虑，应该不会是这一点。
    对于第二个问题应该跟你工艺的管子栅极耐压有关，最好跟工艺厂沟通下具体耐压如何?不知你是正向还是反向?如果换工艺了线性调整率的测试条件也要随工艺进行调整！希望能帮助到你！放假了人气确实低了点啊！

   高人。 另外可以看看Supply的电流在高电压下是不是突然增加许多。

小编找到原因了吗?要反馈和分享哈?除了寄生外，你这两个问题都和环路增益有关，环路增益又于corner有关，你的环路增益是不是在某些与电压有关的corner下下降了呢?

反馈。

不明白为什么Vout和FB分别需要两个Bonding PAD，求解释

2楼不都说的很清楚了么……我来贴图吧，正确的接法是要那么接。不然VO那一整条wire的压降会影响到精度的。反馈只能保证sense端电压准确，也就是图里R1的上端，这点物理上要直接接负载的上端，或者接VO在PCB上的地方，因为PCB上电阻购小了

不过小编已经说了不是这个问题，坐等答案。小编记得回来啊！

顶起顶起顶起顶起

   明白了，非常感谢！

感谢大家的关注，现在已经debug结束，第一个问题是因为内部有根GND线出现了PGND和AGND共用的情况；第二个问题是工艺上pmos的leakage比较大，导致offset随着电源会变大。已经改版流片验证成功。还是谢谢eetop上的xdjm们。

请教wind2000sp3, 您有提到：

"需要避免电流竞争，多用analog invertor的结构。"

请问analog inverter是什么?需要加在哪里?感谢。

    就是共源放大器那种结构

学习了

学习了

   请问PCM参数是什么意思，谢谢

看一看，学一学。

AGND,PGND有这么大影响?

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