无运放的带隙基准mos管宽长比的具体设计－－拜求大师告诉小弟。

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保证两点就可以了：
1. 三条支路电流相等；
2.M1，M2源端电压相等。
这几个管子都不起放大作用，宽长比可以取小一点；考虑到沟道长度调制效应，L可以适当取大一点。
我只知道这么多了

这种启动电路不好

与design spec关系很大。
如果输入电压高，可以用倒宽长比。

没有人指导一下小妹儿吗?

    大师，您知道的，我已经知道了的，这个电路原理清楚，，就是不知道怎么去设计电路宽长比，有没有详细的计算方法?

你电路上不是设置好了么?不过启动电路的尺寸，个人觉得你还是设置成倒比的，流过其电流小点，这样的话，考虑m1,m2,m3,m4的时候可以忽略流过启动电路的电流。另外，我不知道你要求流过电流是多大，我怕你的l=5u的话，可能Vgs稍微有点大。感觉你是在做论文似地！

8楼的头像我喜欢，圣人啊

多谢了，这还是我好不容易找的呢

电路原理如果你清楚的话，一般可以这样设计：
1. 对于速度重要的管子，VDSSAT ，就是过驱动电压取0.1--0.2v就可以了。
2. 对于电流源等需要匹配的管子，过驱动电压取0.3v以上比较合适。
不过这个线路需要注意，M0不能有电流。这个要注意

请大哥大姐，能够说的详细一点吗?是不是ID，需要自己设置，比如我要15uA，再计算即可，那那个启动mos管的宽长比应该如何去设计呢?有没有什么依据呢?我不想只通过仿真来确定管子的宽长比。我想先理论计算一下，再仿真。

恩，你自己计算一下，一般情况下，M0的长越大，流过电流越小，所以把这个管子设置成倒比管会更好点。

Large W/L ratio for M1 and M2 such that gm could be larger
Small W/L and long-channel L for M3, M4 and M5 (as current mirrors)
For good matching and therefore smaller offset voltage, choose Vgs - Vth > 0.3 V (or even greater number) for the bias of M3, M4 and M5.
Choice of L:
The open loop gain (relevant to offset voltage in close-loop) is determined by gm Rout
Choose L > 10 um for all transistors if cascode configuration is not possible.

    你长取那么大，电源电压如果是3V±10%的话，我怕带隙工作不了啊！而且如果不是研究性的设计的话，太浪费面积了。
如果是论文性的设计，而且电源是5V电源的话，是最好的了！ 当然这是我的猜测，没仿过。具体不太清楚

    With power supply = 3.3 V +/- 10%, this structure can accomodate (high-swing) casecode for pMOS and for nMOS.
Without using cascode structure, the circuit can work quite well in 1.8 V system.
The information (sizing guidelines) I provided is not valid for academic research only.
It has been widely used industry.

图中mos管的尺寸还是不错的。当然如果喜欢偶数的，l可以取为6。4和2也没什么错。1以下的话，打死才会取，match不好。如果电流是sub uA，取个10也挺顺眼的。
所以关键是顺眼。

我怎么觉得 电源5V的时候 M0很容易有电流啊
然后电源低的时候又不工作

这个启动电路是教科书上的，考虑工艺变化一般不采用这种；只要跳过零电流点就能正常启动吧；L最好取长一点，finger取4的倍数，过驱动电压取大一些，失配影响会小一点；三个BJT取合理的数目，保证整个BJT版图是正方形（奇数的平方）；支路电流取决于VTln(N)/R,配合你的过驱动电压就能确定宽长比；个人观点，欢迎高手指教！

保持电流相等，或成比例。注意3,4,5的匹配和1,2的匹配。
取20/5的话电流会大，一般是取倒比。l=5um是需要的。实际产品一般都是倒比多finger，外加cascode管。
另外就如大家说的，这个启动电路要改，否则电源电压高的一定程度会开启。

尽可能将L取大些，不但可以减小flicker noise，而且电阻大点，可以增加PSR。至于W，只要保证电压裕度够就行了。供参考。

   请教 楼上，"倒比多finger"是什么意思?不太理解，就是如果管子M1是倒宽长比的话，那么finger的数值就会取得较大，是这个意思吗?
如果是，为什么取较大的finger呢?谢谢。

cascode 這方式是PSRR 好, simple ,  但須要高壓,  一般 vcc> 3v 會比較安全 .
有些 HV bandgap use cascode  還要小心 mos substrate leakage current .
3v 下可改用 opa + 2 diode 方式..

谢谢了

帖子的题目与问题描述里面的内容有一点让我困惑！

学习下

看了下，还不是很懂，新手没人知道伤不起啊

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