为什么不使MOS管偏置在弱反型区以获得更高的增益

它确实可用在低功耗低频率电路中

工作在亚阈区，速度比较慢吧。

个人理解，如果工作在弱反型区，如果工艺角变化大，有可能进入截止区。因此在学术上弱反型区有可能，在工程上弱反型区估计采用就要多考虑了

论坛果然高手如云，谢谢赐教了

应该有亚阈值的电路设计出来吧，如果标准工艺的话变化很大，他们是不是要采用特殊的工艺呢?

现在已有应用

亚阈值区电流电压关系不是完全的指数关系，又和截止区和饱和区靠近，很难保证，建模难度大

工艺稍微偏一点，估计就不能工作了，还是要留足余量把

速度很差，噪声好高。
另外听某些有经验的设计师说太低的vdsatPVT也比较危险。

亚阈值不稳定，由于工艺偏差可能进入饱和区

确实是这样，工程与理论不同

对工艺要求太高了。

但是高速的电路是工作在大电流状态的，亚阈值时的增益是很高，但是不适用在这种情形下。这也算个trade-off吧。

现在常用的BSIM模型对亚阈区的描述也不够精确

不太明白，为什么比较危险呢?是指成品率么?

速度不够快

要考虑工艺的偏差，做产品而不是做仿真~

的确很大
其实设计是有技巧的  
你用很宽的管子  然后大电流的情况下 你会发现不管你跑什么corner 都会在亚阈值区的  所以工艺不是问题
第二 噪声不高 啊    不管是热噪声还是闪烁噪声  ，貌似和工作区域没有关系啊
而且 在大电流下，跨导会变大，反而使噪声减小 而且由于面积大 1/f噪声也小啊
当然功耗会大 这主要和你的应用有点关系  如果GBW大的话 还是可以考虑的

在fab提供的文档，看到measurment 和model 曲线对比似乎也挺准的

个人以为，增益很大是肯定的，但是输出和工艺有很强的相关性，而且很难控制

it is about trade off
area big, bw low, linearity bad,

电子表电路就工作在这个区

特定的应用比较实用，但是不推荐，failture的risk比较高

驱动能力弱
速度慢
噪声大

顺路学习~

主要是速度问题,电流小速度太慢

    基准电路的运放中，为了减小失调，我增大了差分输入管的尺寸，而为了减小功耗，尾电流只给1uA，发现输入管工作在亚阈值区，不知道这种设计好还是不好

corner的考量吧
做產品注重的是yeild
特性差一點點沒啥要緊

在微功耗运放中，有使管子工作与弱反型区的应用。根据艾伦书上的观点，GB与i成正相关，GB比较小是弱反型运放受限的主要原因。

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