当均匀介质材料外面加上pml时的参数应该如何设置？
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直接在介质周围加上pml,安书上的意思：
例如二维时的左右两边：
1. sigma_y=sigma_介质（sigma_y在真空时应为0）；sigmam_y是取sigmam_介质还是sig
ma_介质*mu_介质/epsilon_介质?
2. 我用的是后者,然后再对sigma_x取2次分布，在和介质交界的sigma_x=sigma_介质；而
不是按分布的0，主要考虑到是和介质匹配以减小反射。
3. 然后在pml的迭代公式中，采用指数差分，所有出现epsilon_0，mu_0；的地方都用
epsilon_介质，mu_介质代替了
结果是观察点的反射波很大，简直成了直接的导体截断了，请高手给之处错误的地方
注：真空中的pml吸收情况很好，应该不是程序结构的问题。
例如二维时的左右两边：
1. sigma_y=sigma_介质（sigma_y在真空时应为0）；sigmam_y是取sigmam_介质还是sig
ma_介质*mu_介质/epsilon_介质?
2. 我用的是后者,然后再对sigma_x取2次分布，在和介质交界的sigma_x=sigma_介质；而
不是按分布的0，主要考虑到是和介质匹配以减小反射。
3. 然后在pml的迭代公式中，采用指数差分，所有出现epsilon_0，mu_0；的地方都用
epsilon_介质，mu_介质代替了
结果是观察点的反射波很大，简直成了直接的导体截断了，请高手给之处错误的地方
注：真空中的pml吸收情况很好，应该不是程序结构的问题。
没有人解释一下么？？
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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