MOS管阈值电压随电源电压变化

   仿真上显示Vth随VDD变大时是降低的，但是如何从Vth的表达式上解释原因呢?

一个管子的特性怎么和电源有关呢。应该和电源没关系。

当考虑body effect的时候 （存在VBS），Vth就会和VDD成负相关关系

   那是VTH和VBS的关系，也不是和电源的关系

VBS=VB-VS，比如对于PMOS，如果存在body effect （VB=VDD不等于VS）,那么就和VDD有关系了

    Vth的公式书上都有。
  
    只会从Body effect的角度考虑Vth 的变化，而不是电源

表达式只是first order。

嗯嗯，那和今天的高温天气也有关系哦。

要这么说，万物都相关啊

应该是看VDD变化引起的MOS各个端口的电压变化，不仅是VBS，还有VDS之类的。

只有PMOS可对阈值电压供给量依赖性。NMOS有其基材大多是绑到地面，绝对没有连接到VDD，否则。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。