请教　工艺参数问题

请问KP=u*Cox 怎么计算?
现在知道了　TOXN   　TOXP

.LIB TT
.PARAM
+TOXN   =        TOXP   =     ATP   =
+LINTN  =        LINTP  =     DVT0P =
+WINTN  =        WINTP  =
+VTH0N  =        VTH0P  =
+NLXN   =        NLXP   =
+VSATN  =        VSATP  =
+RDSWN  =        RDSWP  =
+U0N    =        U0P    =
+CGON   =        CGOP   =
+DLCN   =        DLCP   =
+DWCN   =        DWCP   =

请教　关于Kn和Kp值的　计算　谢谢　

大家看下　谢谢

　哈哈　　帮忙看下哈

写错了，见后面

谢谢　楼上

等下　请问　
u0等于多少?

这个栅氧化层介电常数　公式给的　不对吧
应该是自由空间介电常数的3.9倍
自由空间介电常数是８.８５４×e-１４

大家看下　谢谢

大家看下　谢谢

6# 极品飞车２
对不起，上面的确是我弄错了，应该使用上面的参数，u0在工艺参数里会给出

哈哈　谢谢楼上的解答

Cox=εox/tox
εox=3.97ε0
ε0=8.85aF/um
u迁移率可以查spice表得到。

+U0N    =        U0P    =  
这两个参数是迁移率吗?

Un=Uon，Cox=Kn/Tox。
其中Kn等于栅养的介电常数，一般在工艺线给的工艺文件中有介绍。没有的话就用一个MOS二极管反推一把。Id=1/2 * Kn (VGS-VTH)^2。
用8楼的参数也可以，只不过会有稍微的偏差。估算嘛，大概整一整就行了。这种参数随工艺变化很大，还是建议你不要把它当成一个确定的性能。模拟一下Corner更靠谱些。在设计时这些参数会给你一个大体的概念，如果模拟结果和你预算的差了2~5倍就说明手算得很准了，如果差了10多倍也别担心，很正常滴。

恩　谢谢哈

CSMC 0.5um工艺参数

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