关于mosfet参数及选用的问题
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书上写：对于N沟道增强型MOSFET，在饱和区时,iDS=(K/2)*(vGS-VT)^2。请问这个K对于实际的mos管是什么?我看了很多MOS管的参数都没有找到。
迁移率*单位面积栅氧电容*(W/L)
一般的涉及到器件的书里都有啊
在65nm时这个公式已经不在适用，只是给你一个方向。
可以仿真一条ID-VGS曲线，然后在你的工作点附近求出K的大小。
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