版上有人做 uhv 超高壓設計嗎 ？

看過台灣 t開頭 uhv device 還是很大一顆 ,而且電流不會太大
如果內建當 driver 會很大 .
我知道 量產有 depletion mos  但都只是當 internal pull_up mos .
不是當 switch  mos .
有些 design 須要 700v  耐壓且流過 40ma ..那要多大 uhv mos ?
為何 無法做到 off break down 700v
但是 on 時 低 rds on ?
目前看到 foundary 提供多是 resurf  類 或加 大 rds 方式去耐高壓 ,但是 rds 會比 pi 大很多.
PI 到底是去那邊下 單 ?

集成的HV MOS都是LDMOS，而低的Ron需要体硅结构，厚外延层，与常规CMOS工艺不兼容。

此類UHV的device , implant跟一般mixed mode device可能不太一樣 , 如果硬要做再一起 , 恐怕需要額外的mask

最大問題是可靠度吧 , 台灣 fab  寫 800v  700v
但聽到量產後 也發生過掉到 500 600v ..
業內都該知道那一家 , 所以才好奇 uhv  switch device .
不是指 pull_up 用是指當 switch 或是 ldo 外掛 power mos 能力 , 有些 led driver 都想內建 uhv mos
省去外掛 mos .
有些 代工廠說問題出在 封裝 ,但是 ,對使用 uhv process 來說 ,為何和package 有關?
難到外面 powermos package 和 一般 ic package 材料差很多 ?
我說的是可靠度 ..不是 wafer wat 看得到的 .
另外還有一家 uhv process 會讓本來 40v breakdown 掉下去
這也是很怪 ,  大家都知到 40v 是常用 , 外掛 powrmos內建就是要省 外面
但 用這家 uhv  確無法到 40v .. 該公司也不願改 .
真是難用的 process.

期望了解一些

其实他的fingger LDMOS 还是存在问题，本人做HVIC好几年了

fingger LDMOS 还是存在问题
=> 是那方面?

HV power,LDMOS

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