BSIM1，2，3，4的区别

最近做电路仿真的时候，看了一下model文件，发现其中有个bsim4，上网搜索了一下
发现还有bsim1，2，3
伯克利分校开发的一种电路仿真的标准
求大侠指点这个bsim1，bsim2,bsim3,bsim4之间，在电路仿真时，有什么区别?

就像Iphone 12345一样，BSIM4 是最新的， 包含了WPE，LOD，STI等新工艺效应。工艺在发展，model的精度也在发展。

仅仅是单纯的算法改变了吗?
其中bsim4的模型可以兼容bsim1的器件吧?

LOD (Length of Diffusion) Effect
http://bubuchen.pixnet.net/blog/post/17334775-introduction-to-lod-effect-%28%E4%B8%8A%29-
將會是影響類比電路的一個重要參數。

WPE
近井(Well)所造成的效應。
http://bubuchen.pixnet.net/blog/post/21776084

STI    淺溝渠隔離
http://ssttpro.acesuppliers.com/semiconductor/Magazine_Details_Index_Id_1363.html
是CMOS技術中的一個關鍵製程，用來隔離電晶體間電子的導通。儘管STI只是用作被動絕緣，當元件尺寸縮小時，其對電晶體特性的影響變成不可忽 略。在文章中提出STI影響電晶體表現的兩個例子。首先探討STI對窄通道電晶體臨界電壓的影響，即所謂的窄通道效應。接下來提出STI對鄰近電晶體造成 的應力變化。以上兩種效應皆是以TCAD程式模擬，期能協助工程師在發展製程時可以把這些效應的影響降到最低。

    我没说是只是算法改变啊。应该可以，但没试过。

BSIM 1->越来越复杂 参数越来越多 提取难度和仿真时间也是越来越长 向下兼容这么看来并不是一个好主意 够用就好

   嗯，说的有道理

同求，有没有大神详细解释一下，最近也在看这方面的模型资料

每个更新的版本user guide上都会说明这个版本相对以前版本的改动

    thanks for sharing
-Karthik

thanks for sharing

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