用于PLL的1.2V低电压电荷泵采用什么结构比较好？
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如题，电源电压1.2V，MOS管VTH在0.5V左右，在低电压下，一些结构就很难实现了，比如抑制沟道调制共源共栅结构的电荷泵就很难实现，那么，什么样的电荷泵结构可以适用于低压，而且电流失配等非理想因素比较好? 有没有什么经验，或者一些资料 多谢大家指导！
self bias
你用的是什么工艺?
Vth 0.4左右吧
低的可以到0.3V
55n
VTH0.5……
55nm, 为啥不试试ADPLL工艺呢?
还是得用cascode结构啊
我奇怪的是什么工艺?TSMC的 貌似没这么高
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