请教input buffer

源跟随器的电流变化了百分之几?正常电流是多大?

多少的工艺?

   下面是电流源，为什么说源随器的电流变化很大那，没做过adc，只是比较好奇哈！

大概变化了3%,65的工艺，这方面的资料太少了，李福乐说bipolar片内集成buf，cmos片外加，但我不知道原因是啥
问题是如果是片外加buf，带上封装电感仿真会发现，对200m的adc，输入信号来不及在一个周期内建立，不知道这个问题在工程上是如何解决的?

   说电流源的变化也可以，差不多，怎么办?

确保都在饱和区，还有65nm工艺输出电阻不大，可以适当加大电流源的输出电阻

    3%也差不多了，你正常工作电流多少?

输入共模怎么管?

source follower能有多好，而且高频下会随current source impedance下降而变差
一般还会有背栅效应，大swing case下 的harmonic

   方便把你的结构大概说说吗?

他应该不会说的，或者给你私信。论坛很多人都这样。怕抢饭碗

呵呵，没什么好的结构
要么片外单独用颗buffer
要么到高压做input buffer
要么放弃高阻输入，做个几Kohm的输入阻抗
不过已经有几年不做这东西了
再说buffer要做到高频还保持很低的harmonic本来就是件困难的事情

让输入级驱动，哈哈

呵呵，还是这样最省事

   可是如果考虑封装电感的话，我在外部加理想源都不行，传到芯片内部已经有很大的ring了，这样的话岂不是没法测了呢?

这和加不加buffer又有什么关系呢?

   不好意思没表达清楚，如果不加内部buffer,采样开关的切换使输入阻抗不是恒定的，加上封装电感的话，即使片外给理想信号，传到片内会因为阻抗的高速切换引起ring，进而影响线性度，而内部加了buf,这个阻抗就比较恒定了，这是我的理解，请问对吗

sample就是个settle过程，bonding wire 也就几nH，算一下impedance
如果你所担心 sample switch couple 出来的那点charge，那也不是问题
片外本来就要做50ohm termination，片内在做一点resistor termination

   请问是在采样开关前面串联一个50ohm电阻吗?

并联50ohm

   实验了一下，貌似串联电阻效果更好啊，我迷茫了，
这是我的电路，有一些器件只是测试效果用的

本人最近也在做ADC输入buffer，请问各位有什么好的参考资料吗?

小编测过经过封装模型后信号的SFDR吗

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