• 1
  • 2
  • 3
  • 4
首页 > 微波/射频 > RFIC设计学习交流 > 反型层的电子来自哪里?

反型层的电子来自哪里?

录入:edatop.com    阅读:
记得以前在学半导体物理时,谈到mos结构(无源级和漏极),谈到这种结构反型时,似乎反型层电子也是由衬底提供。
但是后面学analog NMOS的中反型层的电子来自源级?
想问,究竟反型层电子是怎么来的

导电沟道下面的耗尽区

MOS管由源极提供,没有源漏的MOS电容由衬底提供,半导体里讲MOS电容就是用的这种结构。总之,只要有源漏就是源漏提供,即最容易得到电子的地方。

3楼说的很对,就是这样的。

mis的结构电极接M和Semi,mos结构接G和source。但都是先耗尽,再反型

无源漏的是mis结构,和mos有些不同的

反型层的载流子从源漏端来。可以考虑如果没有源漏端,只有一个metal-oxide-semi的结构的话,电极加偏压,表面的载流子是半导体的少子,形成速度慢,一般情况下10^-3s。这也是为什么C-V曲线为什么在高频下不会反弹的原因,因为来不及形成反型层。而实际的mosfet的工作频率完全可以超过Khz,Mhz。从这一点可以说明反型层的载流子不是从衬底来,而是从源漏来。

楼上说的比较详尽,顶一个。



   漂亮! 再请问下,为什么这两种结构的Vth的表达式一样?

个人觉得,并不见得分得清具体电子是哪里来的,即使在MOS结构中多种来源都是同时存在的,只是那边电子多且容易进入沟道,在沟道反型条件出现时,可能那边就是沟道反型层电子的主要来源。



    Vth是静态参数。也就是形成沟道所需积累的电荷的量。

直流静态情况下,当VDS=0时,VG大于阈值,沟道处的反型层载流子来自衬底。源级和漏极没有净的电子流入沟道中;当VDS大于0(小于0)时,电子会在平行沟道电场的作用下从源级(漏极)输运到漏极(源级),所以电子的来源是源级(漏极)。

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

上一篇:12b以上 100M以上ADC设计
下一篇:请教input buffer

闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾圭€瑰嫭鍣磋ぐ鎺戠倞妞ゆ帒顦伴弲顏堟偡濠婂啰绠绘鐐村灴婵偓闁靛牆鎳愰悿鈧俊鐐€栧Λ浣肝涢崟顒佸劅濠电姴娲﹂埛鎴犳喐閻楀牆绗掑ù婊€鍗抽弻娑㈡偐閸愬弶璇為悗瑙勬礃閸ㄥ潡鐛鈧獮鍥ㄦ媴閻熸澘鍘炲┑锛勫亼閸婃牠宕濋幋锕€鍨傞柛锔诲幘閻牊銇勯弴妤€浜惧┑顔硷攻濡炶棄螞閸愩劉妲堟繛鍡樕戦ˉ锝夋⒒娴e懙褰掓晝閵堝鈧箓鎮滈悾灞界ウ闂佺鎻粻鎴犵矆鐎n偁浜滈柟鐑樺灥閳ь剙顭烽獮濠傗攽閸♀晜瀵岄梺闈涚墕濡稒鏅堕鍌滄/闁哄娉曞瓭闂佸疇顕х粔鐢垫崲濠靛鐐婇柕濞垮灪鐎氳棄鈹戦悙瀛樺鞍闁糕晛鍟村畷鎴﹀箻鐎靛摜顔曟繛杈剧到閸熷灝煤閿曞倸鐤炬い鎺戝閸欐捇鏌涢妷锝呭闁宠棄顦甸弻锝夊箳閹寸姳绮甸梺闈涙搐鐎氫即鐛幒妤€绠f繝鍨姃閹綁姊绘担鑺ヮ棄闁哥喍鍗冲畷浼村冀椤撶偠鎽曢梺鍝勬储閸ㄥ綊鏌嬮崶銊х瘈闁割煈鍋勬慨鍫ュ极閸儲鈷掑ù锝呮嚈瑜版帩鏁勯柛鎰靛枛缁€澶屸偓骞垮劚椤︻垱顢婇梻浣告啞濞诧箓宕规导鏉戠闁逞屽墴濮婃椽妫冨☉鎺戞倣婵犵鈧櫕鎼愰柍缁樻崌婵″爼宕卞▎鎴犳闂備礁鍟块惃婵嬪磻閹剧粯鐓曢柡鍥ュ妼婢х増銇勯敂鍨祮婵﹥妞藉畷顐﹀礋椤撶姴濮界紓鍌氬€哥粔宕囨濮樿埖鍋樻い鏂挎閻旂厧绀傞柣鎾冲閻庮參姊绘担鍛婂暈婵炶绠撳畷銏c亹閹烘垹鍔﹀銈嗗坊閸嬫捇鏌ㄩ弴銊ょ盎妞ゎ偄绻愮叅妞ゅ繐鎳庢禒顓㈡⒑閸濆嫷妲归悗绗涘倻鏄傛繝纰夌磿閸嬫垿宕愰弽顓炲瀭闁汇垺娼岄崶顒佸仺缂佸顕抽妷銉冨綊鏁愰崨顓ф濠电偟顑曢崝鎴﹀蓟瀹ュ牜妾ㄩ梺鍛婃尵閸犳牠鎮伴鈧畷姗€顢欑喊杈ㄧ秱闂備線娼ч悧鍡涘箠鎼达絿鐜绘繛鎴炵懅缁♀偓闂佹眹鍨藉ḿ褍鐡梺璇插閸戝綊宕㈡總绋跨厺闁圭偓妞块弫濠囨煕閹炬鎷戠槐鎶芥⒒娴e懙褰掑嫉椤掑嫭鍤屽Δ锝呭暙閻掑灚銇勯幒鎴濐伌婵☆偅鍨圭槐鎺楊敊閼测晛顤€缂備焦顨堥崰鏍春閳ь剚銇勯幒鎴濐仴闁逞屽厸缁舵艾顕f禒瀣垫晣闁绘劖顔栭崥鍛存⒒娴g懓顕滄繛鎻掔Ч瀹曟垿骞橀崜浣猴紲闂佺粯鐟㈤崑鎾绘煕閵娿儳鍩g€殿喖顭锋俊鎼佸煛閸屾矮绨介梻浣呵归張顒傜矙閹达富鏁傞柨鐕傛嫹 | More...
射频和天线工程师培训课程详情>>

  网站地图