反型层的电子来自哪里？

导电沟道下面的耗尽区

MOS管由源极提供，没有源漏的MOS电容由衬底提供，半导体里讲MOS电容就是用的这种结构。总之，只要有源漏就是源漏提供，即最容易得到电子的地方。

3楼说的很对，就是这样的。

mis的结构电极接M和Semi，mos结构接G和source。但都是先耗尽，再反型

无源漏的是mis结构，和mos有些不同的

反型层的载流子从源漏端来。可以考虑如果没有源漏端，只有一个metal-oxide-semi的结构的话，电极加偏压，表面的载流子是半导体的少子，形成速度慢，一般情况下10^-3s。这也是为什么C-V曲线为什么在高频下不会反弹的原因，因为来不及形成反型层。而实际的mosfet的工作频率完全可以超过Khz，Mhz。从这一点可以说明反型层的载流子不是从衬底来，而是从源漏来。

楼上说的比较详尽，顶一个。

   漂亮！ 再请问下，为什么这两种结构的Vth的表达式一样?

个人觉得，并不见得分得清具体电子是哪里来的，即使在MOS结构中多种来源都是同时存在的，只是那边电子多且容易进入沟道，在沟道反型条件出现时，可能那边就是沟道反型层电子的主要来源。

    Vth是静态参数。也就是形成沟道所需积累的电荷的量。

直流静态情况下，当VDS=0时，VG大于阈值，沟道处的反型层载流子来自衬底。源级和漏极没有净的电子流入沟道中；当VDS大于0（小于0）时，电子会在平行沟道电场的作用下从源级（漏极）输运到漏极（源级），所以电子的来源是源级（漏极）。

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