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求教:用MOS管做电容(500nf)

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怎么计算啊,让C=500nf?宽长比怎么设

是不是就是根据厂家提供的工艺参数
比如2.2fF/um2,,
宽长乘积乘以上面这个啊

You also can calculate by TOX.

C=A*Cox=W*L*εOX/TOX

500nF的电容太大了
我的4年设计经历,从没见过这么大的电容要用片上集成MOS电容来做!

on-chip capacitor can be impelemented with mos-cap/MiM-cap/Fringe-cap etc.
500nF is unacceptable
Less than several pF is prefered. for insance in A/D the smapling/hold capacitor is usually less than 1pF (enough for 10bit ADC)
in crystal oscillator or PLL, less than 20~30pF (size larger than several hundred um^2)

用Mos管做电容,我见过的最大是pF级的。

这没啥奇怪的。

一个SRAM中的寄生电容就要上pF

搞那么大干嘛?
还是说本身它就是个寄生电容?

这有2个问题:
1)你问什么要做这么打的电容到芯片里面;
2)你这个MOS电容上下极板的电压各是多少,或者说,这个MOS你要他工作在什么区域,不同的工作区,电容会不一样的;

Cmos=W.L.Cox      Cox单位面积氧化层电容,? fF/um2数量级, 随工艺而变

感觉作为电荷灵敏放大器的积分电容,mos管应该能够实现吧?

也许用电容倍增电路可以试试,估计也很难片上实现

500n? 这么大的电容能集成吗?一个几百pF的电容面积的以及相当大了。nF级别的电容基本上不会集成,更不要说500n了

这个电容也太夸张了,100nf,100pf都不小了。

500nF?   bond to PAD

500nF=0.5uF?!

莫非;小编写错单位了?要是这个电容坐在芯片里面的话,估计芯片快有锅盖大了吧?

后面就没人响应了

有点吓人哦



    工作区域不好控制吧。

围观500NF的电容

500nf的电容,用mos管来做的话,大约需要10x10毫米的面积



    请问 用mos管做的电容 电容值怎么算啊?



   面积x单位面积的电容, 单位面积的电容可以用tox估算,但是准确的值需要仿真才能得到,注意mos管的栅电容是个跟电压相关的值

电容过大,这个实现不了的



    哦 那仿真的时候 看哪个参数啊 比如 跑个DC 然后print dc operating parameter ,会出来管子的各个参数 请问哪个参数更加接近实际的值?

电容也太大了吧!用mos做电容根据tox 可以算单位面积电容,同时注意栅电压

小编说的没啥错的。

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