运放 smic40nm工艺1.1V 可行与不可行
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若想要在smic40nm 1.1V条件下，设计一款电源电压为1.1V供电的运放，请大家浅谈一下可行不可行的想法，例如leakage current等！
多谢多谢
多谢多谢
有过相关了解的大侠，赐教。
当然可以，都量产无数了
在40nm工艺下，用于1.1V和2.5V的运放，leakage方面考虑的话，阁下能否提供一些见解?多谢
1.0 都没有问题
运放串了那么多管子，而且L经常不是最小的，leakage 问题比数字电路小了N多了。实在很担心leakage, 就在电源上加个power swtich,整个芯片做好power management 就好
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