关于如图斩波运放中DTMOSFET与倒宽长比mos管
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如图中M1和M2是二极管连接器件，这样如果流片会不会增加工艺实现的难度进而增加成本呀?图中I=90nA在0.18um1.8V工艺下，这么小的电流里面肯定要用到倒宽长比管子，那么倒宽长比的管子用的时候有什么限制没有呢?如果具体到这个电路呢?请懂的前辈给解下惑。
这是做基准的电路吗，感觉环路增益有点低
电路只是用来产生一个PTAT电流
只产生PTAT电流，何必做的那么复杂
要求的精度非常高，deltaVbe在常温下误差不超过2uv
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