后仿正确，为何流片后，实测有误差？TSMC工艺
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芯片Pin输入电压经400ohm电阻后，与芯片内的通过带隙buffer后的电压(0.3, 0.25)迟滞比较。
后仿是正确比较出结果，但是为何流片后会到0.45v才能输出逻辑，迟滞也不对，差个30mV?
台积淀工艺阿。！
后仿是正确比较出结果，但是为何流片后会到0.45v才能输出逻辑，迟滞也不对，差个30mV?
台积淀工艺阿。！
是个别现象还是全部现象?有没有在工艺角偏差范围内?匹配和寄生是不是考虑到位?
仿真不是万能的。
描述还是要具体， 电流多大，400OHM会有偏差嘛，
buffer后的电压(0.3, 0.25) 这个准不准[貌似基准出来 要么0.3,要么0.25,这个有50mV误差，还是大了一些]
最好有个基本结构，示意图
补充一句，只要不是高频，不要依赖后仿。一些比较器和基准，后仿不能给你增加保险系数，如何做到减少量产的工艺偏差以及温度、应力等特性才是关键
和MC simulation比较如何?
仿真与实际有差距是正常，主体要找原因。
后仿做全了吗? 是整个芯片做的 还是只是block。
是测的问题，
OK了。
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