运算放大器中低噪声和低功耗是个矛盾值吗？
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单个MOS晶体管中，根据噪声的计算公式，Vn^2=In^2*Ro^2 . Vn^2 = 4kT*2/3*gm*Ro^2 ---（1）
gm=sqrt(2*u*Cox*W/L*Io) -----（2）
Ro=1/(lammda *Io) -----（3）
把（2），（3） 带入到（1）中，
得到 Vn^2 正比于 1/(Io^1.5)
那么说 ，在MOS 管工作在 饱和区 的沟道噪声 跟电流是反比的。
当电流无限小时，噪声就会无限大。直到电流小到让MOS 管进入 亚域区或者线性区。
以上的说法有问题吗?
gm=sqrt(2*u*Cox*W/L*Io) -----（2）
Ro=1/(lammda *Io) -----（3）
把（2），（3） 带入到（1）中，
得到 Vn^2 正比于 1/(Io^1.5)
那么说 ，在MOS 管工作在 饱和区 的沟道噪声 跟电流是反比的。
当电流无限小时，噪声就会无限大。直到电流小到让MOS 管进入 亚域区或者线性区。
以上的说法有问题吗?
同问
不要忘记带宽的影响，虽然noise floor会提高，但是带宽也相应减小
放大器可能看噪声系数，更能反映放大器实际噪声特性。
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