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运算放大器中低噪声和低功耗是个矛盾值吗？

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单个MOS晶体管中，根据噪声的计算公式，Vn^2=In^2*Ro^2 . Vn^2 = 4kT*2/3*gm*Ro^2    ---（1）
gm=sqrt(2*u*Cox*W/L*Io) -----（2）
Ro=1/(lammda *Io)             -----（3）
  把（2），（3）带入到（1）中，
  得到 Vn^2 正比于 1/(Io^1.5)
  那么说，在MOS 管工作在饱和区的沟道噪声跟电流是反比的。
  当电流无限小时，噪声就会无限大。直到电流小到让MOS 管进入亚域区或者线性区。

以上的说法有问题吗?

同问

不要忘记带宽的影响，虽然noise floor会提高，但是带宽也相应减小

放大器可能看噪声系数，更能反映放大器实际噪声特性。

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