芯片没有 vdd ground 是如何设计 ?
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芯片没有 vdd ground 是如何设计 ?
有看过一些卖的 chip ,
datasheet 如这边 .
http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=486310&pid=8570916&page=1&extra=page%3D1#pid8570916
但是不是没有 vdd
就是 没有 ground
这要如何设计 ?
这方式可以吗? 不过就我知道一般 UHV EDMOS 好像都很大一块做成
racetank (finger) type ..
有看过一些卖的 chip ,
datasheet 如这边 .
http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=486310&pid=8570916&page=1&extra=page%3D1#pid8570916
但是不是没有 vdd
就是 没有 ground
这要如何设计 ?
只有有个基准参考点就成就成!其实是有GND和VDD
drain 里面有花样
不知道是如何設計? 那 current sense 不能對地 .
电流信号的嘛
不懂?
有 paper ?
给你看个图吧
其实不是没有地,是内部地和外部地的区别。接在电阻上面的CS应该是内部地,当电流CS输出的电流变大,会把内部地电位相对VCC抬升,相对的Drain的内部控制电压也变化了。
地只是相对的参考,我把这个符号画在哪里都没有关系,我甚至可以画在电源上,那么原来的0电位就变成了-vdd
所以内部 current sense 点其实是 vcc? 外接大电容
如可以省去GROUND , 一般CHIP 为何不如此 设计 ? 应该有其他不好地方吧
因为是浮地,噪声比较大,不适合传输小信号。优点是在长距离(数百米)传输时抗衰减,双线式的连接也可以节约成本(数百米的线,少一根芯少不少钱呢),双绞线的EMC特性比较好,所以一般用于传输数字信号。
第一个图里的CS应该是芯片内部的GND
YES
数百米的线 ?
现在不是讨论 芯片内
我说的是应用时的情况。
viper12
Source = chip internal Gnd
这方式可以吗? 不过就我知道一般 UHV EDMOS 好像都很大一块做成
racetank (finger) type ..
基本上就是这个意思。
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