MOS管深线性区
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书上说,Vgs-Vth >>Vds, N-CHANNLmosfet进入深线性区,请问Vds应该比Vgs-Vth小多少才能算是<<呢?
ADE中可查看的region只显示0 1 2 3, ,并不对线性区和深线性区做区分,想要设计一个深线性区的管子做有源电阻,应该如何判断其是否偏置在深线性了呢?
然后如何对其线性度进行仿真,判断其线性度好不好呢?
谢谢!
ADE中可查看的region只显示0 1 2 3, ,并不对线性区和深线性区做区分,想要设计一个深线性区的管子做有源电阻,应该如何判断其是否偏置在深线性了呢?
然后如何对其线性度进行仿真,判断其线性度好不好呢?
谢谢!
vds越小,应该是深线性吧。把vds设为变量,扫描vgs》vth情况下的gds值就可以了。
好高深,谢谢,学习下
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