MOS栅长如何选择

书上讲的不是取4~8倍么，我没什么模拟的经验。

run MOS 的I-V curve, ID-VDS, change 不同的L (length)
去找出最平的那條曲線,那時候的L就是較佳的length

为什么，难道所有管子都用这一个长度?

當管子要做current mirror或其他需要操作在saturation region的應用時,可以用我之前說的方法找到channel length modulation效應最小的時候之L(length),L固定後方便你做倍數current mirror 動作,只要改變total width 就可以做1倍,2倍,3倍....的current, for example: 1倍current(W=6u L=2u m=1),2倍current(W=6u L=2u m=2),3倍current(W=6u L=2u m=3)...;其他不是要做saturation region應用的管子,例如做開關, 可以選minimum lenght 如L=0.12u,L=0.18u, L=0.35u,...
固定的length 方便你在做layout時,管子之間的matching,比較不會受foundry process的影響

没有定论

   谢谢。

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