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LC-VCO中对LDO的性能指标要求

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LC-VCO要用LDO单独供电,LDO调谐范围1.8G~2.7G,没加LDO并且电源不加噪声phase noise频偏1M -130dbc ,加了LDO后发现phase noise直接升到-110dbc,后来我在LDO后面加了一个RC低通滤波器之后再接入到VCO,phase noise才恢复正常,大概升了1~2dbc,为-128.5dbc,(1)请问这是什么原因,为什么LDO之后还要加入一个RC低通滤波器才算正常,R我取得是50欧姆,C我取得是15uF                    (2)一般LC-VCO对LDO的性能指标有哪些要求呢

真奢侈,几乎是上个时代的solution



   那这个时代是怎么解决的呢?  求指教

此贴不会当炮灰了吧,顶一下

mark。

这个电容相当于是电源,15uF存的电够放很久了。

mark!

15μF片内片外?
片内15μF做不出来,片外15μF实际起到的效果跟片内完全不是一个数量级。



  谢谢您的回复,您说的很对,那应该怎么样去解决这个问题呢?还是用这么大的电容吗  放在片外?有没有其他的不用到RC低通滤波器的比较好的解决方法呢?、 求大神指教!不胜感激!

同样遇到这个问题,求正解!LDO的noise不可避免的引入LC-VCO,如何破?



   同求这个时代的solution。

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

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