请教:LDO对VCO噪声性能的影响如何消除

LDO负载有一个1uF电容，连接到1G的VCO后发现VCO相位噪声下降了5-10dB，检查噪声贡献发现VCO噪声基本都来源于LDO，尤其是LDO的几个电流镜管子，我调整了管子尺寸之后可能某个管子的某个噪声降低了，但整体VCO噪声性能还是没有优化。      想请教一下大家除了设计一个低噪声的LDO之外有什么办法能减小LDO对VCO噪声的影响呢?
      比如在LDO和VCO连接的地方加一些滤波电路?电流镜栅极之类的地方加电容?不太懂这方面的内容，希望有经验的高手帮忙解决下呀
      再就是下图是LDO的PSR曲线，想问下这个LDO的PSR性能对么，高频处下降这么多?

LDO是供电方案中噪声很小的吧，总比DCDC强得多了

   嗯,那我能做的只有尽可能降低LDO噪声了是么?之前对噪声没有什么概念,麻烦问下我这个输出噪声曲线是太大了么?

貌似这个噪声是大了些
我们稍大的电路也就100n数量级

不是特别在意低频噪声，看看PLL带宽处的。

片外电容没什么意义。

之前LDO的负载电容比较低,加到VCO上之后LDO输出会出现震荡,和VCO频率一样~后来才加大电容慢慢发现这个震荡没有了,但这电容太大片内也用不了了~还有什么更好的办法么?

有点震荡不是不稳定，没问题的，控制下幅度即可。

有点震荡不是不稳定，没问题的，控制下幅度即可。和VCO同频率的多噪声影响不大

   嗯,确实是这样,之前发现过同频率的震荡,但仿真下来发现对VCO的性能却没有影响.但之前那个震荡幅度达到0.2V了,电源电压2.5V,这算可以接受的范围么?

add cap

太大了点，0.2V对VCO有影响了吧。这个震荡可能影响别的电路。

我这边做了一个26MHz crystal，单独做了一个无电容LDO给其供电，联仿发现 电源上会出现较大的pp抖动，将近300mV（1.2V）电源电压，这样导致Crystal出来的方波高电位不是平的，而是曲线，这样会不会出问题啊

    应用到VCO的LDO需要特殊设计低噪声，rms没有10uV量级都不好意思拿出来用的

    有啥好的建议或者参考paper吗?

回复 2# semico_ljj

    应用到VCO的LDO需要特殊设计低噪声，rms没有10uV量级都不好意思拿出来用的


这个要求很高啊，10uV，肯定要片外的大电容的。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。