有关带隙基准源的问题

或者谁能解答下仿真的问题，就是用analoglib库的CMOS4和NMOS4和tsmc18rf库CMOS2V和NMOS2V有什么不同

求大神啊，真的很急

   analogLib里的器件是理想器件，4表示是4端器件。 tsmc的库里器件是比较接近实际的器件，2v应该表示1.8v器件。

关于怎么用cadence仿真建议你还是看看教程，基本的bandgap电路看razavi或者allen书上的基本结构学习一下

    哦，再问下，我找了一个传统的教程上的无运放带隙基准源仿真试了下，如果原本的参数设置是P33，W=20U L=5U的PMOS改成PMOS2V的PCH会不会对电路造成影响。我用a工艺库里的CMOS4不能仿真，只能用t库的CMOS2V，但仿真得到的温度变化和瞬态特性都不符合结果。

    都看了，就是仿真不出来，还有原理不太懂，就是教材上的传统的无运放带隙基准源，用一个MOS管做启动电路看不懂。

   原理不懂，就别指望仿出来了。   要么先把原理搞懂，要么搞一个现成的IP仿仿帮助理解。

。楼上正解。自己先看书看懂。很好懂的。然后仿一个基本的结构试试，。，。

这个事情还得自己逼迫一下自己，原理不懂，别人说得再多也是枉然

Hi kakawukong:
You need to understand the bandgap principle and formula.
It will let you know how to set the path current, the bjt ratio and so on.
mpig

能加个Q聊下吗?周围没什么人能够请教的。

哟  。撸主应该是毕设吧。把拉扎维的书看看就懂了呀

    恩，是毕设。我基础比较差。

先学会原理 才能懂的。

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