源漏穿通和DIBL的区别
录入：edatop.com 阅读：
源漏穿通是大的VDS是的源漏的耗尽层连在一起。
DIBL是大的VDS导致源漏之间的势垒降低，VTH降低。
总觉得这两种短沟道效应很相似呢?有高手能讲解一下这两者之间的本质区别吗?怎么区分呢?
在下先谢谢了！
DIBL是大的VDS导致源漏之间的势垒降低，VTH降低。
总觉得这两种短沟道效应很相似呢?有高手能讲解一下这两者之间的本质区别吗?怎么区分呢?
在下先谢谢了！
再顶，求指导
你所谓的漏源穿通是ｐｕｎｃｈ ｔｈｒｏｕｇｈ?
VTH降到0，你不就穿通了吗。
是不是这样子的：两者一般都发生在短沟道器件中，只是发生的先后顺序不同，穿通（源漏之间bulk击穿）一定发生在DIBL之后，因此穿通可以看做是DIBL的终极情况，即漏端电位被拉低到源电位。
是的啊
难道穿通是VTH降到0，而DIBL是VTH降不到0吗?
我也是这样想的啊，就是书上也没有具体讲两者的关系，都是分别说明两种现象。而我又觉得这两种现象比较像，所以才来咨询一下，应该什么时候考虑源漏穿通，什么时候考虑DIBL的啊。
再顶一下
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
