带隙基准

ppm是负的?要看你是怎么计算的

减小负温度系数电阻，或者增大正温度系数电阻

   Vref=Iptat+Vbe

因为电阻是个比值，忽略掉他的影响。   调试的时候增大了正温度项，任然是负的

调整电阻，这是你电路中电阻比值关系没调好。

    正温度项增加的不够，不要吝啬，狠狠地增加

加了，提升了一个数量级，温度系数没变化，瞬态反而出现振荡

你电路有问题吧?

上图。

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上了

1.        为何使用这方式 bandgap , npn m=24还有 2组那面积不是会很大吗?  是因为VBG 要 > 1.4v+ I1*r1 以上吗?
2.         一般 delta VBE是正温度, VBE是负温度. 如果是太负  会不会串 2 npn ?  那如果把 I1 current 加大很多?

  谢谢关注。 面积是比较大，I1电流主要还是由∆VBE 决定吧?串两个npn应该不至于让温度系数一直为负吧 ?

   需要一个比较高的输出基准

  一般会使用 OP + TRIM  直接输出
连OP OFFSET 都TRIM掉 (不必管bandgap ) ,你要多高电压都可以做到
M=24 还串两级, 对拉 bjt beta 不高下还有 beta compensation .
一般使用 1级是 tc 低约 1.18v .. 透过 op 你要输出多高都可以

   能说的详细些不?前辈

vbg + op amp运放 输出 会很难懂吗?
运放 输出 使用电阻分出来看你要多少电压都可以
直接 TRIM 电阻
量产会须要
我们都使用 laser trim
如果你要 2.5v 直接输出 2.5v

   哦哦，懂了，你们都是通过修调电阻的罗，有没有采用别的方法来进行曲率补偿啊?

不对 .   调电阻+ OPA 只放大  BANDGAP电压
如果你要BANDGAP 有GOOD TC 还是须要调 BANDGAP 源头
只是一般 不会串 2 stage bjt 得到 2.5v  .. TC 没多好吧
一级BJT  BANDGAP  就可以调 ,  
至於 GOOD TC  请在BANDGAP 端使用 n_well resistor + HR  调 GOOD TC

   前辈您有没有不涉及机密相关资料可以给我参考下?

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