理论计算和实际仿真数据差距有点大，不知道是否是在合理范围？

PM0应该是12（1.5/0.8），误差会小一些
一般偏置电流为运放电流20%左右，二者越接近，误差越小
ps：左边的偏置需要启动电路；PM5产生的偏置电压太小，导致输入共模范围很小

    谢谢，你说的很清楚，不过偏置电流为输入管电流20%是不是在误差和功率消耗之间做的一个比较好的折衷?

我很想笑...请别这么计算，你被中国的教育制度毒害了...课本上就是逗你玩，你别当真，唯一的解决方法是找个牛人，看你的福分了，他要肯教你，你就会发现，书上的MOS偏置计算就是扯淡！除了sansen讲了点实话。
靠，你还挺有钱的，看来这个坛子里钱不等于经验啊！

相差不多12倍变成了15倍对吧，相差了。基本就是手算的模型和方针模型差距比较大了。手算只是提供一个设计的思考。对于变化趋势的一个解释。可以用 gm/i的那种模拟结合计算的方法设计。再有你的输入对管没有在饱和区。

同学，这类偏差以后你还会发现很多。
这就是现实呀~呵呵
倍乘电流，不要倍乘W，要多用几个管子，用multiplier。要知道即便这样，vds的影响也是不可忽略的，就算仿真好了，做出来也还是会有偏差。模拟的经验是需要慢慢积累的，多学多做，加油。

    谢谢指点，但是你说没牛人指点就不行，我是不太相信的，而且我非常相信理论指导实践这句话，只有课本上知识学好了才有举一反三

    vds=300mv,我的过驱动电压才0.12V，所以是在饱和区，也就是说是在合理范围咯，只不过是因为模型不太好的原因，导致差距偏大?

    谢谢，你说的对，我还是同学。0.0

   小编  请教一下   为什么我手算一个简单的共源晶体管的饱和电流是仿真的大概两倍?我以为我忘记除2了，可是我明明已经除以把Id前面的1/2带上了啊····L设置为最小长度的10倍，这时候沟道长度调制应该已经很小了吧·····可是还是这么大差距··

   VDS的值呢?将漏压调大一点应该会改善

1.注意model中的有效w和l
2.一些model，w不同，vth也会变化
以上

居然是个坟

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