请教一个smic55nm后仿真提取问题
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最近用smic 55nm做了个运放，后仿真在不提取任何参数的情况下（no rc)进行，发现运放尾电流源的阈值电压比前仿真降低了40mv,导致镜像电流偏大，请问这有可能是什么原因造成的?
沟道长度多少，dummy加了多少，55nm下LOD效应还是比较明显的
比如一个基准电流通过M1镜像到M2，沟道长度为250nm，M1 的figure=1 而M2 figure=32，并且M1与M2在版图上相距较远，M1不加dummy提取是正常的，而M2提取出来发现VT小了很多，导致电流大很多。
默认SA，SB都是最小的，画成finger形式后中间的管子SA，SB较大，VT会变小
就是这个原因，第一次用55nm工艺，教训啊，谢谢！
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