为什么LDO要采用左边的结构而不是右边的结构呢

合适的人是不是LDO。输出晶体管Vth的=>产生高电压差。

左边的功率输出管是p管，右边是n管，n管需要的驱动电平更高，需要加charge-pump结构才可以，所以右边是正解。从环路稳定性角度看，左边也更好

第二个有NMOS的VTH受体效应影响

    从环路稳定性角度看，左边也更好?
这句话不对呀！

   呵呵，请指教

左边的功率管是P型，功率管一般做成P行吧?如果你的foundry也能提供N型功率管，采用右边的结构也未尝不可。

不是很简单嘛，左边多了一级，右边只是个源跟随

两种都可以用吧，看具体应用情况。右边的好处是nmos作为source follower，不会影响环路的稳定性。如果用左边的结构，需要注意一下loop stability

左边的输出电压可以接近电源电压，可以实现低压差；而右边的功率管要导通至少要比电源第一个VGS，不能实现低压差

    什么意思?右边不也是环路吗

    除了输入和输出的压差之后，还要考虑load regulation， nmos 明显没有pmos好

   请问，问什么source follower 不影响环路稳定性?而左边的电路影响?

   当然稳定性更好啊，source follower形成low impedance output，很容易把dominate pole做在输出。用common source，在EA out就有次级点，如果不separate就不稳定。

mark。

mark。

如果是芯片内部驱动小电流，我见过右边的设计，很实用也很好！左边就是要涉及到补偿，带宽可能不太高！

除非是输入和输出电压差的很大，才考虑右边结构。

   就性能来说，那肯定是右边的好，现实当中也有用，但是得采用native的power mos（面积大），否则VDD和输出power就不是low drop out了

   哦，说的是，受教了！谢谢！

   左边的是单极放大器，右边的源级跟随器。这两个的相位变化是不一样。

又边的也叫LDO，只是一般dropout大于左边，用的少了。

    左边op极性反了

左边加个Miller电容，最好cascode不带前馈的那种

   源跟随也是一种单级放大器，你说的意思应该是左边的有一个180度的直流相位变化，而右边的没有相位变化吧?

    相位变化都是有的，但是源跟随器要小的多，不然怎么叫“跟随”?

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