vco噪声问题

增加偏置电流

看噪声总结，找到来源，从而找到解决方法，如增加LDO输出电压以增大摆幅和相位噪声，加大偏置电流，偏置上加RC滤波，优化LDO噪声性能等~

我看了是NMOS的闪烁噪声最大，应该是把L调大吧，但是我用的是SMIC 0.13的库，L很不好调啊，还有库里面MOS 的number of fingers参数是什么意思啊?我师兄说是对w的乘积，但是我仿了一下好像不是啊，不知道是我仿得问题还是什么问题，很郁闷，可调节参数如图

自己顶一下，请高手指点啊

估计你电压偏置的vco振幅太大了，导致flicker noise混频加重；
限制一下振幅，flicker noise会改善——可能会恶化一点thermal noise——找一个平衡点吧；
1M频偏-130dBc的噪声并不容易，需要优化包括LDO在内的每个模块——我做过的还没有这么高要求的，惭愧～～～

还有一点，SMIC的noise model很不靠谱～～～我跟他们的model的人因为noise model有过联系，两三年前的事了。

    谢谢您的回答，还有我仿得差分电感的Q值在5G时为52，Q的半径为30u圈数为2圈都是最小值，是不是太大了啊，而且他的差分电感只有两端没有接地端，很奇怪啊

能仿出Q值50，估计哪里出错了吧～～～片上电感的Q值一般<15

要求有点高乐

@1MHz -130dBc/Hz? 频率多少，离开频率谈这个指标没意义。

    中心频率是5GHz

按这个指标，如果功耗小于10mw都可以算是一流的VCO了。我觉得靠谱点，还是控制VCO的增益，降低。采用小电容，大电感，然后震荡到5G，加大电流。我觉得这个指标的提出，可能老师都没有认真衡量过。

    为什么要用小电容大电感?这样用有什么好处?

    smic的电感本来就一般  所以你只能用功耗来换

电压偏置VCO 低频相味噪声较差，主要是由于上变频增益较大，但是频偏大时相位噪声优势就体现。-130dBc/Hz@1MHz@5GHz的要求很高了，看你老师对哪方面的要求高了，若是又要高性能又要低功耗同时面积还有限制，那么这基本上很难做到。若是对面积的要求不高，可以尝试噪声滤波，这样可以提高3~5dBc/Hz，若是对功耗要求不高，可以采用较大的摆幅，但是这个也有限制，拜服大了有时噪声还会差，这个自己去调，最后若是都不能满足，试着改变VCO结构，不一定要采用电压偏执型。最后就是你电路调好后，版图设计还是一个大难题，没有大半年对VCO 版图的优化及理解是不可能第一次就画出高性能的VCO 的，加油吧

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