带隙中的偏置的问题

把中间那级偏置管MP8MP9先去掉不就很明显了啊

有个图画错了

只有图2正确，其余两个都不对。从PTAT自偏置电路的两个NMOS管的源端分析环路节点极性，配合高低阻节点匹配设计，可以判断出来。另外，L取的太小，参数也不匹配，最好改用低压PMOS电流镜，输出支路Q管取1就可以啦，取8太大，版图不好匹配，能用qvp10就不要用qvp20的，太占面积，电阻用负温度系数多晶高阻，没见显示model类型~

图2是三张图里面唯一正确的。不过我觉得M8和M9的栅两边都可以接，甚至接到其他偏置也是可行的，因为他们是用来给上面两个P mirror做cascade的。另外，小编用来做mirror的P管栅长取的太小了，怎么也不得来个20u/40u的。

    谢谢
从PTAT自偏置电路的两个NMOS管的源端分析环路节点极性，配合高低阻节点匹配设计，可以判断出来。   不是很明白啊
另外1.因为我用的是.35的工艺，以为mos管的L取1u已经够大了，
2. 你说的参数不匹配?是指nmos和pmos的W/L不一致吗?如果是这个的话，因为nmos和pmos的迁移率不一样，所以我弄的W/L不一致
3. 别人跟我说过bjt的面积越大，则它的匹配性越好，所以我选了qvp20，
4. 电阻的model是用高阻的负温度系数的poly
谢谢  请指正

不知道你之前是做什么的，感觉没入门...
知道bjt的size 要取得大，却不知道mos的size也要取大
找本书认真看一看

什么是高低阻节点匹配设计?我以为图1是正反馈所以错了，图3没没有反馈所以错了。
.35工艺用30、40栅长的管子很正常，电流镜匹配好嘛。

    谢谢 关注
30、40栅长的管子，尽管电流镜匹配很好，但是它的flick noise不是会变得很大吗

   对的，这就是这个结构限制的，必须在电压精度和噪声之间做一个trade off

    Flick noise不是和面积呈反比吗?栅长变大噪声会变才对啊?为什么说需要在电压精度和噪声之间trade off呢?

    什么叫高低阻节点匹配设计?

查了一下书，确实闪烁噪声跟面积呈反比，谢谢你的指正。

    你好，我想请问一下qvp5 qvp10有什么区别呢

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