噪声问题求解

各位大神好，由于一直对噪声的理解很模糊，所以最近又看了一遍拉扎维第七章的内容，顺便也做了几道课后题。请教各位大神一个简单问题：

如图，要求计算输入参考噪声电压，忽略沟长调制效应和体效应。答案的前两项很好理解，第三项是电阻RS的噪声，答案的计算方法是RS的噪声电流被RS和1/gm分流，然后流过负载电阻RD。也就是M1源端向下和向上看到的电阻。但是向上看的电阻是1/gm的话，说明考虑了M1的小信号阻抗Ro（所以忽略了RD）。由题干知，不考虑沟长效应，那么Ro=无穷大，相当于断路，那么向上看的电阻1/gm是怎么得来的呢?
如上，求各位大神指点。

大神们，帮忙解答啊。

Vin不变，source端电压增加dV，MOS的电流变化dI=gm*dV，
等效电阻就是dV/dI=1/gm
有什么问题?

Ro和流过MOS管的电流不是同一个电流，画画小信号等效电路看看。

按你理解的“断路”，这个晶体管还工作不工作了?

   Source端增加dV，M1电流不应该增加-gm*dV么

回复 5# fightshan
如图，如果Ro很大，忽略RD，并且不考虑提效益，那向上看的阻抗就是1/gm。我的理解是Ro无穷大的话，就是Ro这条支路断开，再计算向上看的阻抗，那么结果必然会出现RD相关项。

   对于b图，把体效应也忽略，那么VCCS电流方向不变的话其电流应该是-gm*Vx，换到和Ix相同的方向就是gm*Vx，VCCS和RD这条通路上的整个压降是VX，流过的电流是gm*VX，那么你用压降除以电流，得到等效电阻1/gm，RD起作用了吗?

    分子分母同时除以ro看看。

   理解了。开始没有计算，感觉上会出现RD项。谢谢了。

   我感觉你好像是没有做过前面的题目直接做的第七章?

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