pmos输入的折叠共源共栅+Class-AB，有些疑惑，求大牛解答，谢谢
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电路结构是pmos输入对的折叠共源共栅+class-AB结构，折叠共源共栅的增益在70dB，希望处理gnd附件的信号。 现在在VDD/2处，增益为80dB，BUFFER形式的系统失调不到1mV。
问题在于处理共模输入0或者5mV时候，折叠共源共栅的增益仍然为70dB，可由于class-AB的nmos管工作在深线性区，class-AB输出级增益会远小于1，整体增益不到10dB，从而系统失调很大。共模输入一直到100mV时候才有改善。
这个问题不知道有人碰到没的，可以怎么解决? 再插一级放大级or增大class-AB的面积（增大静态功耗）?
其次，我想知道，书上或者paper上的Rail-Rail是严格从0到VDD么?折叠共源共栅+class-AB两级能做到么? 另外，譬如gnd+100mV到VDD-100mV算不算Rail-Rail?
谢谢了。
问题在于处理共模输入0或者5mV时候，折叠共源共栅的增益仍然为70dB，可由于class-AB的nmos管工作在深线性区，class-AB输出级增益会远小于1，整体增益不到10dB，从而系统失调很大。共模输入一直到100mV时候才有改善。
这个问题不知道有人碰到没的，可以怎么解决? 再插一级放大级or增大class-AB的面积（增大静态功耗）?
其次，我想知道，书上或者paper上的Rail-Rail是严格从0到VDD么?折叠共源共栅+class-AB两级能做到么? 另外，譬如gnd+100mV到VDD-100mV算不算Rail-Rail?
谢谢了。
你这个OP在环路中怎么用啊?如果用成buffer那只能增加增益级的增益，如果是负反馈环路看看运放输出电压多大，如果在摆幅内就不用管了。
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