同等阻值的MOS管和无源电阻在制造过程中哪个占用的面积比较大？

MOS电阻用栅压调，面积可以做很小。

恩 谢谢

这个问法没意义

是这样的，我想知道在电路中选择负载的时候考虑工艺如何进行选择的。

考虑工艺用MOS电阻要偏移很大呢，上下30%都有，你确定要用么

不确定，为什么MOS电阻有这么大的漂移啊?

   MOS管电阻可以变化3~6倍多，Poly 电阻也可以变化20%~30%。MOS管电阻一般有大的寄生电容，电阻没有。电阻面积大，MOS管电阻在Vg=Vs时最小尺寸就看做到Meg级别。

MOS管电阻可以变化3~6倍多，Poly 电阻也可以变化20%~30%
=> but process 如果看WAT LOT 一般可以 <10%
FOUNDARY 写 20% 那是出错时可以说在 model 内, 实际没如此大\
另外一般mos resistor没有线性
以前使用Low voltage mos diode 去做分压 1/2 Vdd, 实上
因为 Device leakge ,就算你 layout match 还是会发生不同DIE 间
VREF 不同 , 毕竟 mos Vth 会不同
但是纯电阻不会如此 .

恩 谢谢！

mark......

同樣的阻值,MOS所需要得面積小
但是
MOS比較不準,每個corner/ wafer lot的變異性大
要考慮reliability
ESD

MOS很不准

恩 谢谢

Got it

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